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材料学院青年教师刘新科博士在二维黑磷材料的电子器件取得重大突破,并在《Scientific Reports》发表文章

近日,材料学院青年教师刘新科博士在二维黑磷材料的电子器件取得重大突破, 并在Nature出版集团旗下的《Scientific Reports(IF:5.578)上发表了题为《Black Phosphorus Based Field Effect Transistors with Simultaneously Achieved Near Ideal Subthreshold Swing and High Hole Mobility at Room Temperature》的文章(DOI: 10.1038/srep24920),我院刘新科为第一作者,深圳大学是第一单位。通过采用高介质常数氧化物(high-k dielectric)的低温器件制作工艺,器件同时实现接近完美的亚阈值摆幅(near ideal subthreshold swing of 69 mV/dec)和常温下高空穴迁移率(>400 cm2/Vs)。这份工作表明作为新型二维半导体材料的黑磷,有望成为下一代(sub-10 nm)纳米电子器件的沟道材料。

目前刘新科老师所在的课题组招聘博士后和硕士研究生, 有兴趣的博士生或本科生可以直接联系: xkliu@szu.edu.cn (http://cmse.szu.edu.cn)

该研究得到了国家自然科学基金,广东省科技计划项目,深圳市基础研究,以及深圳大学校启动经费等多项资金支持。

Scientific Reports 是来自 Nature 杂志集团出版的一个发表原始研究工作的刊物,在线出版,公开访问,内容涉及自然科学所有领域。

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