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材料学院学术报告五

报告人简介:吴曙翔,中山大学材料科学与工程学院,副教授。2009年博士毕业于中山大学物理科学与工程技术学院。2009-2011年在新加坡南洋理工大学从事博士后研究工作。2011年聘入中山大学物理科学与工程技术学院,2016年转入材料科学与工程学院。主要从事功能氧化物薄膜的分子束外延生长和新型氧化物器件电子学研究,目前已在NPG  Asia Materials, Physical Review XApplied Physics Letters等杂志发表SCI论文50余篇。

报告内容简介: 作为数据载体的存储器是“大数据时代”的基石,非挥发性存储器尤其重要,由于其在无电源供应时所存储的数据仍能长时间保存。目前市场上主流的非挥发性存储器-硅基闪存存储器面临存储速度慢、存储容量小、物理尺寸极限等问题,已不能满足人们对数据信息爆炸式增长的需求。探索新材料和开发新型的下一代信息存储技术已成为半导体信息产业的迫切需求。氧化物薄膜器件电子学是继半导体存储技术后的新发展方向。LaAlO3/SrTiO3界面高迁移二维电子气2DEG的发现,促进了氧化物器件电子学的发展。我们的研究工作主要集中在LaAlO3/SrTiO3基器件的非挥发性存储研究,具体从场效应FET器件和阻变存储RRAM两个方向开展工作。在场效应FET器件方面,我们发现LaAlO3/SrTiO3FET器件的介电层电容在直流电压作用下能得到大幅度提高1000%,这样可以大幅度提高FET器件信噪比以及降低能耗和发热。而且介电层电容可在高电容和低电容两状态下进行反复可逆转换,并且每个电容状态都具有非挥发性。我们认为电容提高效应可能与在电压作用下LaAlO3薄膜内氧空位的重新分布和可迁移性有关。在非挥发性阻变存储RRAM方面,我们构建以LaAlO3/SrTiO3界面二维电子气为底部电极和以LaAlO3薄膜为存储材料的非挥发性阻变存储器。该存储器件的稳定性、高低电阻开关比、耐久性、擦写速度(达5 ns)、数据保持力度等参数符合下一代非挥发性阻变存储应用要求。通过第一性原理计算发现,  LaAlO3/SrTiO3RRAM器件的非挥发性存储的微观物理机制与带正电的氧空位迁移有关。

 

报告时间:2016/04/11(周一),14:00-15:00

报告地点:材料学院F220